7月11日晚间，星河微电(688689)发布公告，公司拟以自有资金3.1亿元投资施行“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房开发神志”，旨在擢升公司集成电路分立器件居品的坐褥加工才略，扩大坐褥规模。
公告暴露，本次投资资金起首为公司自有资金或自筹资金，开发周期30个月，计较通过购置地盘及开展厂房土建工程，为后续高端集成电路分立器件产业化基地开发奠定基础。
手脚国内跳动的半导体分立器件制造商，星河微电主要居品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源科罚IC选取三代半导体（SiC、GaN）器件，居品等闲欺诈于汽车电子、浪掷电子、工业戒指、新动力及5G通讯等领域。
比年来，受益于下流需求的坚决出手，我国半导体分立器件行业市集规模赓续扩大，业内企业接踵成绩红利。2022年至2024年，星河微电生意收入离别为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年高潮态势。公司示意，受坐褥场地、开辟及东说念主力资源的收尾，现时产能已难以倨傲日益增长的市集需求，本次鼓励有关半导体分立器件产能规模彭胀，可促进业务发展，进一步擢升盈利水平。
现在，硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在改日很是一段时辰内占据主要市集，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在慢慢走向锻真金不怕火，并在新动力汽车、光伏逆变器等场景的欺诈占比权贵擢升。
2024年，公司应时优化居品结构，要点擢升MOS居品、TVS及稳压管居品的销售占比，推动产销量稳步增长，很是是在车规级半导体器件产业化神志方面，客户拓展取得权贵辗转。与此同期，进一步鼓励光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增开辟插足。
为抢捏市集机遇，星河微电赓续加速高端居品研发及产业化程度。现在，公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片策画才略，何况完了了小批量欺诈。
值得一提的是，在新产业布局方面，星河微电“车规级半导体器件产业化”神志进入产能爬坡阶段，居品涵盖IGBT、SiC MOSFET等，赢得多家车企供应链认证，聚焦新动力汽车的电机戒指、车载充电系统及ADAS领域，倨傲AEC-Q101等国际车规设施，慢慢替代英飞凌、安森好意思等外洋厂商的中高端市集份额。 同期，光电耦合器及 LED居品已欺诈于工业自动化、医疗开辟等领域， 并与多家客户协作，开发高精度传感器及电源科罚模块。
关于2025年沟通计较，星河微电示意将围绕大客户、大居品、伟业务伸开，进一步丰富功率器件居品种类开云kaiyun，擢升公司上风居品的产能，提高居品线索，同期通过精确营销战略，耕作新的增长点，擢升大居品的市集竞争力。